Главная » Каталог документов » ГОСТ 22622-77

ГОСТ 22622-77
"Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров"

- 336,00 руб.;
- Официальное издание;
- Доставка или cамовывоз.
- от 95,00 руб./день;
- Мгновенное подключение;
- Различные формы оплаты.
- от 8 790,00 руб.;
- Тысячи (!) документов на DVD;
- Ежеквартальное обновление.

Статус документа: действующий

Дата вступления в действие: 1978-07-01


Документ относится к следующим разделам классификатора:

Нормативно-технические документы. Национальные стандарты
Общие положения. Терминология. Стандартизация. Документация
Словари *Стандарты, включенные в эту группу, следует также включать в другие группы и/или подгруппы в соответствии с их объектами
Электротехника (Словари)


Содержание для ознакомления



ВНИМАНИЕ!!
ФРАГМЕНТ ТЕКСТА ДОКУМЕНТА ПРЕДСТАВЛЕН ИСКЛЮЧИТЕЛЬНО ДЛЯ ОЗНАКОМЛЕНИЯ И СОДЕРЖИТ ОШИБКИ
ОРИГИНАЛ ДОКУМЕНТА СООТВЕТСТВУЕТ ОФИЦИАЛЬНОМУ ИЗДАНИЮ

Группи ЕОО

МАТЕРИАЛЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Термины н определения основных электрофизических параметров

Semiconductor materials. Terms and definitions of

MKC 01.040.29 29.045

I In.' i 'шик!""и I in; mpc i in 111:111о komiii.!. стандартов Совета Мичi|hib СССР от 18 июли 1977 г. № 1755 дата введении остановлена

01.1)7.78

Настоящий стандарт устанавливает применяемые в пауке, технике и производстве ТЕРМины и определения основных понятий полупровод пиковых материалов.

Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, учебниках, учебных пособиях, технической и справочной литературе. Приведенные определения можно, при необходимости, изменять по форме ихюжеиия. не допуская нарушения границ понятий.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный ТЕРМин. Недопустимые к применению ТЕРМины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены - Нлн-.

Для отдельных стандартизованных ТЕРМинов в стандарте приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.

В стандарте приведен алфавитный УКАЗатель содержащихся в нем ТЕРМинов на русском языке. Стандартизованные ТЕРМины набраны полужирным шрифтом, их краткая ФОРМА — светлым, а недопустимые синонимы — курсивом.

В стандарте приведено приложение, содержащее обшие понятия физики твердого тела, приме-

няемые к полупроводникам.

Термин
Определение

1 Проводи Н&1ШЫЙ материал 2. Hiliyпроводник
Материал, предназначенный .тли исполыовании его полупро-водниковых свойств По ГОСТ 19880-74'

ВИДЫ И СОСТОЯНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

-v Простой полупроводник
4. Сложный полупроводник
5. Электронный полупроводник
Полупроводник, основной состав которого образован атомами одного химического элемента
Полупроводник, основной состав которого образован атомами двух иди большего числа химических элементов
Полупроводник, элсктронроводность которого обусловлена в основном перемещением электронов проводимости

¦ На территории Российской Федерации действует ГОСТ Р 52002—2003 (здесь и далее).

Падание официальное *
Перепечатка поспрошена

Издание с Игченеиием № I, утвержденным в мае 1982г. (ИУС9-82).

ГОСТ 22622-77

180

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
ГОСТ 22622-77 С. 2

Термин
Ояимяывмм

(• Дырочный полупроводник 7 Примесный полупроводник 8. Собственный полупроводник '). Выроненный полупроводник
П! Невырожденный полупроводник
11. Частично компенсированный полупроводник
12. Скомпенсированный полупроводник
II олу про вод ник. зле кт ро провод нос ть которого обусловлена в основном перемещением дырок проводимости
Полупроводник, электропроводность которого определяется примесями
Пату провод ник. нс содержащий npiixicccH. влияющих на его эле ктро про водность
Полу провод ник. уровень Ферми в котором распатожен в зоне проводимости или в валентной зоне, или же в запрещенной зоне на расстоянии ог границ УКАЗанных зон. меньшем кТ
Пату проводник, уровень Ферми в котором расположен в запрещенной зоне на расстоянии от ее границ, большем кТ
Примесный полупроводник, электронная (дырочная) проводимость которого частично компенсирована дырочной (электронной) проводимостью примесей
Примесный полупроводник, в котором в НОРМАльных условиях концентрации электронов проводимости и дырок пронодимо--1 и одинаковы

ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

13. НОСИТСЛЬ up;: ll

14 Дырка проводимости

Дырка

15 Основные носители (аряла полупроводника

Основные носители 16. Неосновные носители заряда полупроводника

Неосновные носители 17 Равновесные носители заряда полупроводника

Равновесные носители Нап. Тепловые носители 1М. Неравновесные носители гаряда полупроводника

Неравновесные носи тел и 19. Горячие носител и заряда

2D. Электронная мсктронрояоднос1ь полупроводника

Электронная электропроводность Нлп. Электронная проводимость

21. Дырочная электропроводность Ндп. Дырочная проводимость

22. Собственная электропроводность Ндп. Собственная проводимость

23. Примесная электропроводность полупроводника

Примесная электропроводность 24.11 '|': I hi pi' л i : ИМ i ik-11.

25. Собственная концентрация носителей заряда по луп ро водника

Собственная концентрация 26 Равновесная концентрация носителей •вряда полупроводника

Равновесная концентрация

По ГОСТ 19880-74

Незаполненная валентная связь, которая проявляет себя как положительный заряд, численно равный заряду электрона

Носители заряда, концентрации которых в данном патунро-воднике преобладает

Носители заряда, концентрация которых в данном полупроводнике меньше, чем концентрация основных носителей заряда

Носители заряда, возникновение которых явилось следствием тепловых колебаний кристаллической решетки пату проводника в условиях ТЕРМодинамического равновесия

Носители заряда полупроводника, не находящиеся в ТЕРМодинамическом равновесии по концентрации и (или) по энергсшчес-кому распределению

Неравновесные носители заряда гшдунроводника. средняя энергия которых существенно превышает равновесную энергию, соответствующую температуре кристаллической решетки

Электропроводность полупроводника, обусловленная в основном перемещением электронов проводимости

Электропроводность полупроводника, обусловленная в основном перемещением дырок проводимости

Электропроводность шзлупроводника. обусловленная генерацией пар электрон проводимости — дырка проводимости при любом способе возбуждении

Электропроводность полупроводника, обусловленная ионизацией атомов донорной или акцепторной примесей при любом способе возбуждения

Электропроводность полу проводи нка. обусловленная фоторс-зпешнным эффектах!

Концентрация равновесных носителей заряда в собственном полупроводнике

Концентрация подвижных носителей заряда в полупроводнике в условиях ТЕРМодинамического равновесии

181
С. 3 ГОСТ 22622-77

Т | > Ч II I

27. Kmim нтраиия неравновесных мосмте-яеЛ иряла вях-упроя" шипя

Нфавнонсх И ля ко н НС нIраЦ ия

28. ИтбЫТОЧИЯЯ к. huh VIpMHI 111411 г. i. ни

аваля подхптюво'мика

Избыточная концентрация

29. критмчсская n-iur«ipiuM иектроаоя

ПрОВОДИМОСТМ ItO.IJ ВВОВОДИМКЯ

Критическая коннстришня пектро

HOB

:i Критическая мннмчпранмя 1Up«k ПРОВОДИМОСТИ п.. -4i|...... ни...

КрИТИЧССКОИ концентрация ДЫрОК

31. Эффективная чвсся носителя пряла полупроводник*

Эффектишыи млсси носители ырида

32. ЭффекЯШМ ВаЧШИ шхвагя носителя ! .1 1.1 ПОЛ) ППОЯО 1ник11

'-hticlMTKiiiiiiioc ссчсиис laxii.irn

33 .тнффушониая лшиа ммн-мояных носителей lapa.ia иолупровиШШ

Лнф<||> ионная шит

34. Объемное

Объемное время лиши

35. Поверхиоетвос врсн нес них носителем га ваал

Поверхностное время жиши

36. Эффективное время липни вес них носителем и рал a nai> ироаод-нни

Эффективное время жиши

37. Длина дрейфа »ер>вм<эимч'иых моемтс-

H 11 : -11 - • i" 1км-||рОВ»11никя

.1.1Ш1.1 дрейфа 3S. < король iHHM'pxiKH-iHoH рекомбинации носителей шриди ШШ)проводника

Скорость поверхностной рскомбинл-II ни

34. Ни |чнч АКТнвлнии примесей uaivitpo-водника

Энергия лктишшнн 40. Концентрация вырождении иолунро-

Кониснтраиия вырождении 41. Степень комлевсянна no-rj нривиднивл

Степень компенсации

42.

(lup. u- l.llll.-

Иннсрснонныи стой

Концентрация носителей иряла ¦ nuiyitpoBCuiiiiKc. отличная от равновесной

Избыток конистрапин неравновесных носителем иряла я по-лут-роволникс нал концентрацией равновесны» носителем иряла

Кот-сдттраикя хтсктроноя проводимости иол> нринолннка. прн которой уровень Ферми совпадает с нижней 1риннием юны про воли мости

Концентрация дырок проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с верхней -раннцсП валентной

к1ны

Величина, имеющая размерность массы н харАКТеризующая движение носителя заряда u iH-лупроиодникс пол деИст иием внешнего электромагнит нога поля

Величина, имеющая размерн

-=ОКОНЧАНИЕ ФРАГМЕНТА ДОКУМЕНТА=-

Документ ГОСТ 22622-77 можно получить тремя способами:

Приобрести полный комплект актуальных документов в виде электронного справочника на DVD. Мы предлагаем специализированные справочники для разных отраслей хозяйственной деятельности.

Так же, можно скачать ГОСТ 22622-77 или любой другой документ очень быстро и за смешные деньги, с оплатой любым способом (электронными деньгами, безналичным расчетом, отправкой SMS).

Если требуется официальное издание, то можно купить ГОСТ 22622-77 - печатную форму документа для технических библиотек и лицензирования деятельности предприятия.