Главная » Каталог документов » ГОСТ 21934-83
ГОСТ 21934-83
ВНИМАНИЕ!!
ФРАГМЕНТ ТЕКСТА ДОКУМЕНТА ПРЕДСТАВЛЕН ИСКЛЮЧИТЕЛЬНО ДЛЯ ОЗНАКОМЛЕНИЯ И СОДЕРЖИТ ОШИБКИ
ОРИГИНАЛ ДОКУМЕНТА СООТВЕТСТВУЕТ ОФИЦИАЛЬНОМУ ИЗДАНИЮ
Гриша "WO
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
11 остановлен нем Государственного комитета СССР по стандартам от 2S апреля 1983 г. № 2043 дата введении чешнпвлска
01.07.84
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве ТЕРМины и определения фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотопрнемных устройств и ТЕРМины, определения и буквенные обозначения фотоэлектрических параметров и харАКТеристик.
Термины и буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны аля применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.
Стандарт соответстует СТ СЭВ 2767—80 в части фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения (см. приложение 2) и СТ СЭВ 3787—82 в части раздела 2.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный ТЕРМин.
Применение ТЕРМинов—синонимов стандартизованного ТЕРМина запрещается.
Для отдельных стандартизованных ТЕРМинов в стандарте приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования. Установленные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятий.
В стандарте а качестве справочных приведены иностранные эквиваленты для ряда стандартизованных ТЕРМинов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.
В стандарте имеется приложение I, содержащее общие понятия, используемые в области фото-электрических полупроводниковых приемников излучения и фотопрнемных устройств.
Стандартизованные ТЕРМины набраны полужирным шрифтом, их краткая ФОРМА — светлым.
Буквенное обошлчение
Термин
русское
ЧС*. .141.1
родное
Определение
1 ФошчувствительныИ нилу приводим ковы И прибор
D. Photocmpfinditches Halblcitcibauele-ment
Г. Photosensitive semiconductor device F. Dispositif semiconductcur pholosen-stble
2. Фотоэлектрический полупроводниковый ПрИСЧНИК М1Лучения
ФЭПП
D. Halbleitcrpholoelcment
E. Photoelectric semiconductor detector
F. Dctccteuruscmi-eonductcur photo-electriyuc
Полупроводниковый прибор, чувствительный к электромагнитному излучению в ВИДИМОЙ, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра
Фоточувствительный полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на внутреннем фотоэффекте в полупроводнике
Иианис официальное
Перепечатка воспрешена
Издание с Изменением № /, утвержденным в августе 19S4 г. (ИУС 12—&4/
1.1-
ГОСТ 21934-83
Взамен ГОСТ 21934—76, ГОСТ 22899-78
ПРИЕМНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА
Термины и определения
Semiconducting photoelectric detectors and receiving photoelectric devices. Terms, and definitions
MKC 01.040J t
31.080 ОКСТУ6250
ГОСТ 21934-83 С. 2
Термин
Буквенное обо1н*чение
Определение
русское
междунЛ' рол и не
ф' иттрием hoi устрой сi hi)
ФПУ
Фокс i у нс гш тел ьн ы й j i од у и ро вол и и -ковый прибор, состоящий из фотоэлектрического полупроводникового приемника излучении и схемы предварительного усиления фотосигнала в гибридном или интегральном исполнении, объединенных в единую конструкцию
ВИДЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИЕМНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЯ
4. мшиосш kl |1.1.11.iii.ih ф'Н ii '.ПК I вичсс-
кий полупроводниковый приемник ииуче-нин
Многоепектральный 'ЮПИ О. Mutiispcklnilpholocmplinger
E. MulD-band pbotodctector
F. Photodctcctcur a plusicurs gammcs
5. I\ i......icn и i hi.in фотоэлектрический
полупроводниковый приемник излучения
Одноэлементный ФЭПП
D. Е inclement phot остр (anger
E. Single-element detect or
F. Detcctcur a clement unique
6. Миогоэлементный фотоэлектрнчеекий полупроводниковый приемник ииучення
Многоэлсмснгный ФЭПП
D. V icicle me ntplKJtocmp Ringer
E. Mulli-cleтеш detector
F. Dciccteur multiple
7. Координатный фотоэлектрический полупроводниковый приемник ииучення
Координатный ФЭПП
D. Ortscmptindlichcr Phoioempfangcr
E. Position-sensitive detector
8. Гетеродинный фотонектрический полупроводниковый приемник ииучення
Гетеродинный ФЭПП
D. Ubcrlagcrungsphoioempl^nger
E. Heterodyne detector
F. Detccteur heterodyne
'). Иммерсионный фоюллсктрнческий полупроводниковый нрнеминк ииучення Иммерсионный ФЭПП
D. Immersiompholoempl^nger
E. Immersed detector
F. Detectcur a immersion 10. Фоторсзжтор
D. Photowiderstand
E. Photoconductivc cell
F. Cellule pholoinductivc
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий два и более фоточувствитслышх элементов с различными диапазонами спектральной чувствительности
Фотоэлектрический полупроводнико-НЫ11 приемник излучения, содержащий один фогочувствитсльный элемент
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник ииучення с числом фо-точувсгвительных элементов больше одного.
Примечание. Допускается применять ТЕРМин «двух-, трех-, четы-рехэлеменгный* фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, по выходу сигнала которого определяют координаты светового пятна на фоточувствитсльной поверхности
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, предназначенный для гетеродинного приема излучения
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник ииучення, содержащий иммерсионный еинчал
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, приниип действия которого основан на эффекте фото провод и м ост и
135
С. ЗГОС1 21934 83
Термин
Буше иное D&C
русское
UCtlVIII
роЛИОС
Он p.'.iiMCHiif
1 i. Фотодиод
D. Pholodiodc
E. Pholodiodc
F. Pholodiodc
12. p—i—n фотолиод
D. Pin-Photodiodc
E. Pin-Pholodiodc
F. Pin-Pholodiodc
13. ФОТОДИОД С бжрЬСрОЫ 11 ll' II HI)
O. Schollky-Pholodiodc
E. Schollky-Barrier-Pholodiodc
14. Фотодиод с гетеропереходом
D. Pholodiodc mil Helcroubcrgang
E. Hctcrojunction pholodiodc
15. Лавинный фотодиод
D. LawitKnpholodkxJc
E. Avalanche pholodiodc
F. Pholodiodc a avalanche
16. Инжскцкоиный фо i: i ino :
D. I n)eklionsphoiodiode
E. Injection pholodiodc
F. Pholodiodc d'injection
1 ?. 11 '> I о I jki I, INI li;>
D. Phot ol rami st or
E. Photoira№islor
F. Phototransislor
18. Полевом фототрашнетор
D. PbolofelderTektlransistor
E. Field clTcct pholotransiMor
F. Photolransistor a clTct de champ I'I. Биполярный фонл-раюнетор
D. BirxHarphototninsUtor
E. Bipolar phololransistor
F. PhololransiMor bipolaire
2u. Охлаждаемый фолидекгрическнй полупроводниковый приемник ииучення Охлаждаемый ФЭПП
D. Gckuhltcr Phoioempfangcr
E. Cooled detector
F. Photodeicctcur rcfroidi
Полупроводниковый диод с p—n переходом между двумя типами полупроводника или между пату провод и и ком и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фото-гальванический эффект
Фотодиод, дырочная и электронная области которого разделены слоем материала с проводимостью, близкой к собственной
Фотодиод, запирающий слой которого образован контАКТах) полупроводника с металлом
Фотодиол. электронно-дырочный переход которою образован двумя полупроводниковыми матсриалахш с разной шириной запрещенной зоны.
II р и м е ч а н и е. Переход может быть образован сложными полупроводниковыми соединениями с изменяющейся шириной запрещенной зоны
Фотодиол с внутренним усилием, принцип действия которого основан на явлении ударной ионизации атомов фотоносителями в сильном электрическом поле
Фотодиод, работающий в режиме внутреннего усиления фотосигнала за счет инжекшш свободных носителей заряда
Транзистор, в котором используется фотоэлектрический эффект
Фоготранзистор. фоточувствительный элемент которого содержит структуру полевою транзистора
Фоготранзистор. фоточувствительный элемент которого содержит структуру биполярною транзистора
Фотоэлектрический полупроводниковы
-=ОКОНЧАНИЕ ФРАГМЕНТА ДОКУМЕНТА=-
ГОСТ 21934-83
"Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения"
Статус документа: действующий
Дата вступления в действие: 1984-07-01
Документ относится к следующим разделам классификатора:
ВНИМАНИЕ!!
ФРАГМЕНТ ТЕКСТА ДОКУМЕНТА ПРЕДСТАВЛЕН ИСКЛЮЧИТЕЛЬНО ДЛЯ ОЗНАКОМЛЕНИЯ И СОДЕРЖИТ ОШИБКИ
ОРИГИНАЛ ДОКУМЕНТА СООТВЕТСТВУЕТ ОФИЦИАЛЬНОМУ ИЗДАНИЮ
Гриша "WO
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
11 остановлен нем Государственного комитета СССР по стандартам от 2S апреля 1983 г. № 2043 дата введении чешнпвлска
01.07.84
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве ТЕРМины и определения фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения и фотопрнемных устройств и ТЕРМины, определения и буквенные обозначения фотоэлектрических параметров и харАКТеристик.
Термины и буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны аля применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.
Стандарт соответстует СТ СЭВ 2767—80 в части фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения (см. приложение 2) и СТ СЭВ 3787—82 в части раздела 2.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный ТЕРМин.
Применение ТЕРМинов—синонимов стандартизованного ТЕРМина запрещается.
Для отдельных стандартизованных ТЕРМинов в стандарте приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования. Установленные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятий.
В стандарте а качестве справочных приведены иностранные эквиваленты для ряда стандартизованных ТЕРМинов на немецком (D), английском (Е) и французском (F) языках.
В стандарте имеется приложение I, содержащее общие понятия, используемые в области фото-электрических полупроводниковых приемников излучения и фотопрнемных устройств.
Стандартизованные ТЕРМины набраны полужирным шрифтом, их краткая ФОРМА — светлым.
Буквенное обошлчение
Термин
русское
ЧС*. .141.1
родное
Определение
1 ФошчувствительныИ нилу приводим ковы И прибор
D. Photocmpfinditches Halblcitcibauele-ment
Г. Photosensitive semiconductor device F. Dispositif semiconductcur pholosen-stble
2. Фотоэлектрический полупроводниковый ПрИСЧНИК М1Лучения
ФЭПП
D. Halbleitcrpholoelcment
E. Photoelectric semiconductor detector
F. Dctccteuruscmi-eonductcur photo-electriyuc
Полупроводниковый прибор, чувствительный к электромагнитному излучению в ВИДИМОЙ, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра
Фоточувствительный полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на внутреннем фотоэффекте в полупроводнике
Иианис официальное
Перепечатка воспрешена
Издание с Изменением № /, утвержденным в августе 19S4 г. (ИУС 12—&4/
1.1-
ГОСТ 21934-83
Взамен ГОСТ 21934—76, ГОСТ 22899-78
ПРИЕМНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА
Термины и определения
Semiconducting photoelectric detectors and receiving photoelectric devices. Terms, and definitions
MKC 01.040J t
31.080 ОКСТУ6250
ГОСТ 21934-83 С. 2
Термин
Буквенное обо1н*чение
Определение
русское
междунЛ' рол и не
ф' иттрием hoi устрой сi hi)
ФПУ
Фокс i у нс гш тел ьн ы й j i од у и ро вол и и -ковый прибор, состоящий из фотоэлектрического полупроводникового приемника излучении и схемы предварительного усиления фотосигнала в гибридном или интегральном исполнении, объединенных в единую конструкцию
ВИДЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИЕМНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЯ
4. мшиосш kl |1.1.11.iii.ih ф'Н ii '.ПК I вичсс-
кий полупроводниковый приемник ииуче-нин
Многоепектральный 'ЮПИ О. Mutiispcklnilpholocmplinger
E. MulD-band pbotodctector
F. Photodctcctcur a plusicurs gammcs
5. I\ i......icn и i hi.in фотоэлектрический
полупроводниковый приемник излучения
Одноэлементный ФЭПП
D. Е inclement phot остр (anger
E. Single-element detect or
F. Detcctcur a clement unique
6. Миогоэлементный фотоэлектрнчеекий полупроводниковый приемник ииучення
Многоэлсмснгный ФЭПП
D. V icicle me ntplKJtocmp Ringer
E. Mulli-cleтеш detector
F. Dciccteur multiple
7. Координатный фотоэлектрический полупроводниковый приемник ииучення
Координатный ФЭПП
D. Ortscmptindlichcr Phoioempfangcr
E. Position-sensitive detector
8. Гетеродинный фотонектрический полупроводниковый приемник ииучення
Гетеродинный ФЭПП
D. Ubcrlagcrungsphoioempl^nger
E. Heterodyne detector
F. Detccteur heterodyne
'). Иммерсионный фоюллсктрнческий полупроводниковый нрнеминк ииучення Иммерсионный ФЭПП
D. Immersiompholoempl^nger
E. Immersed detector
F. Detectcur a immersion 10. Фоторсзжтор
D. Photowiderstand
E. Photoconductivc cell
F. Cellule pholoinductivc
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий два и более фоточувствитслышх элементов с различными диапазонами спектральной чувствительности
Фотоэлектрический полупроводнико-НЫ11 приемник излучения, содержащий один фогочувствитсльный элемент
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник ииучення с числом фо-точувсгвительных элементов больше одного.
Примечание. Допускается применять ТЕРМин «двух-, трех-, четы-рехэлеменгный* фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, по выходу сигнала которого определяют координаты светового пятна на фоточувствитсльной поверхности
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, предназначенный для гетеродинного приема излучения
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник ииучення, содержащий иммерсионный еинчал
Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, приниип действия которого основан на эффекте фото провод и м ост и
135
С. ЗГОС1 21934 83
Термин
Буше иное D&C
русское
UCtlVIII
роЛИОС
Он p.'.iiMCHiif
1 i. Фотодиод
D. Pholodiodc
E. Pholodiodc
F. Pholodiodc
12. p—i—n фотолиод
D. Pin-Photodiodc
E. Pin-Pholodiodc
F. Pin-Pholodiodc
13. ФОТОДИОД С бжрЬСрОЫ 11 ll' II HI)
O. Schollky-Pholodiodc
E. Schollky-Barrier-Pholodiodc
14. Фотодиод с гетеропереходом
D. Pholodiodc mil Helcroubcrgang
E. Hctcrojunction pholodiodc
15. Лавинный фотодиод
D. LawitKnpholodkxJc
E. Avalanche pholodiodc
F. Pholodiodc a avalanche
16. Инжскцкоиный фо i: i ino :
D. I n)eklionsphoiodiode
E. Injection pholodiodc
F. Pholodiodc d'injection
1 ?. 11 '> I о I jki I, INI li;>
D. Phot ol rami st or
E. Photoira№islor
F. Phototransislor
18. Полевом фототрашнетор
D. PbolofelderTektlransistor
E. Field clTcct pholotransiMor
F. Photolransistor a clTct de champ I'I. Биполярный фонл-раюнетор
D. BirxHarphototninsUtor
E. Bipolar phololransistor
F. PhololransiMor bipolaire
2u. Охлаждаемый фолидекгрическнй полупроводниковый приемник ииучення Охлаждаемый ФЭПП
D. Gckuhltcr Phoioempfangcr
E. Cooled detector
F. Photodeicctcur rcfroidi
Полупроводниковый диод с p—n переходом между двумя типами полупроводника или между пату провод и и ком и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фото-гальванический эффект
Фотодиод, дырочная и электронная области которого разделены слоем материала с проводимостью, близкой к собственной
Фотодиод, запирающий слой которого образован контАКТах) полупроводника с металлом
Фотодиол. электронно-дырочный переход которою образован двумя полупроводниковыми матсриалахш с разной шириной запрещенной зоны.
II р и м е ч а н и е. Переход может быть образован сложными полупроводниковыми соединениями с изменяющейся шириной запрещенной зоны
Фотодиол с внутренним усилием, принцип действия которого основан на явлении ударной ионизации атомов фотоносителями в сильном электрическом поле
Фотодиод, работающий в режиме внутреннего усиления фотосигнала за счет инжекшш свободных носителей заряда
Транзистор, в котором используется фотоэлектрический эффект
Фоготранзистор. фоточувствительный элемент которого содержит структуру полевою транзистора
Фоготранзистор. фоточувствительный элемент которого содержит структуру биполярною транзистора
Фотоэлектрический полупроводниковы
-=ОКОНЧАНИЕ ФРАГМЕНТА ДОКУМЕНТА=-
Документ ГОСТ 21934-83 можно получить тремя способами:
Приобрести полный комплект актуальных документов в виде электронного справочника на DVD. Мы предлагаем специализированные справочники для разных отраслей хозяйственной деятельности.
Так же, можно скачать ГОСТ 21934-83 или любой другой документ очень быстро и за смешные деньги, с оплатой любым способом (электронными деньгами, безналичным расчетом, отправкой SMS).
Если требуется официальное издание, то можно купить ГОСТ 21934-83 - печатную форму документа для технических библиотек и лицензирования деятельности предприятия.
