Главная » Каталог документов » ГОСТ 27299-87
ГОСТ 27299-87
ВНИМАНИЕ!!
ФРАГМЕНТ ТЕКСТА ДОКУМЕНТА ПРЕДСТАВЛЕН ИСКЛЮЧИТЕЛЬНО ДЛЯ ОЗНАКОМЛЕНИЯ И СОДЕРЖИТ ОШИБКИ
ОРИГИНАЛ ДОКУМЕНТА СООТВЕТСТВУЕТ ОФИЦИАЛЬНОМУ ИЗДАНИЮ
Груши ЭОО
НастояшиЙ стандарт устанавливает ТЕРМины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых излучателей, оптопар. оптоэлектронных переключателей логических сигналов, оптоэлектронных коммутаторов аналогового сигнала и оптоэлектронных коммутаторов нагрузки.
Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия стандартизации или использующих результаты этой деятельности.
1. Стандартизованные ТЕРМины, буквенные обозначение и определения приведены в табл. I.
2. Для каждого понятия устаноатен один стандартизованный ТЕРМин. Применение ТЕРМинов-синонимов стандартизованного ТЕРМина не допускается. Недопустимые к применению ТЕРМины-синонимы приведены в табл. I в качестве справочных и обозначены пометой "Иди-.
2.1. Для отдельных стандартизованных ТЕРМинов в табл. 1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.
2.2. Приведенные определения можно при необходимости изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них ТЕРМинов, УКАЗывая объекты, входящие в объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.
2.3. В случаях, когда в ТЕРМине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приведено и в графе «Определение- поставлен прочерк.
2.4. В табл. I в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных ТЕРМинов на английском языке.
3. Алфавитные УКАЗатели содержащихся в стандарте ТЕРМинов на русском и английском языках приведены в табл. 2 и 3.
4. Стандартизованные ТЕРМины набраны полужирным шрифтом, их краткая ФОРМА — светлым, а недопустимые синонимы — курсивом.
Изланис официальное Перепечатка воспрещена
*
154
ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ OI1ТОЭЛ ЕКТРОНН ЫЕ
Термины, определения и буквенные обозначения параметров ГОСТ
Semiconductor optoelectronic devices. 27299 87
Terms, dctiDitioiis and teller symbols of parameters
MKC 01.040.31
31.080 ОКСТУ 6201
Дата введения 01.07.88
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
ГОСГ 27299-87 С. 2
Таблица I
Буквенное
обЧмничеи не
Термин
Ол рслслснис
огсчесгвенное
международное
1. ПоТОК НВЛуЧСНИЯ
Kail Mill flux
2. Мощность излучения полупроводникового и шуча-теля
Мощность излучения Radiant power
3. Сила излучения Radiant intensity
4. Энсргстнчсскан яркость Radiance
5. Диаграмма капрааленно-
'III 111. Ill С ПИЯ II l I. I > 11 pi Hi.) llll! -
кового излучателя
flitaiE'.iMMi направленно-ети излучения
Radiation diagram
6. Угол излечения шиуяро-видникового излучателя
Угол излучения Half-intensity beam
7. Длина волны максимума излучения иолупроводниково-го излучателя
Длина полны излучения Peak emission wavelength N. Ширина спектра излучения полунровилии кового излучателя
Ширина спектра Spectral radiation bandwidth
9. Длительноеib импульса и злуче ння полу п ро вод и ико во -п> излучателя
Длительность импульса излучения
10. Оптическая ось полу-и; mi и тикового излучателя
Оптипеская ось Optical axis
11. Геометрическая ось no-лупроводникового излучателя
Геометрическая ось Mechanical axis
12. Угол расхождения Squinting angle
13. Постоянный прямой in к полупроводникового излучат ел я
Постоянный прямой ток Continuous (direct) forward current
ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ
ф, ifl
р.
в
а
.V.
По ГОСТ 7601
Суммарный ноток излучения на выходе полупроводникового излучателя
По ГОСТ 7601 По ГОСТ 7601
Диаграмма, харАКТеризующая пространственное распределение излучения от полупроводникового излучателя относительно его оптической оси
Плоский угол, содержащий оптическую ось пол у провод ни кового излучателя и образованный направлениями, в которых сила излучения больше или равна половине ее максимального значения
Длина волны, соответствующая максимуму спектральной плотности потока излучения полупроводникового излучателя
Интервал длин волн, в котором спектральная плотность мощности излучения больше или равна половине се максимального значения
Инзсрвал времени, в течение которого сила ихтучения полупроводникового излучателя больше или равна половине се максимального значения
Линия, но отношению к которой ошентриравана анаграмма направленности полупроводникового излучателя
Воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя
Угол между оптической и геометрической осями полупроводникового излучателя
Значение постоянного тока, протекающего через полупроводниковый излучатель в прямом направлении
16-!'
153
С. 3 ГОСТ 27299-87
Прода/женае ma&i. I
Термин
(Ян) llU'trlllir
Ол рсагленис
огс'ксгпенног
международное
14. Импульсный примни
Aip.n
'гм
Наибольшее мгновенное значение
ток полуироводннкового ив-
прямого тока, протекающего через по-
лучатсля
лупроводниковый излучатель, прн за-
Импульсный прямой ток
данной скважности и длительности им-
Peak forward current
пульса
15. Средний прямой ток по-
'npsp
'ifAVl
Среднее за период значение прямо-
лу про води иково го излучатели
го тока, протекающего через полупро-
Средний прямой ток
водниковый излучатель
Average forward current
If-. Постоянный обратный
bp
'к
Значение постоянного тока, проте-
ток полупроводникового И1-
кающею через полупроводниковый из-
.!>'!.i i I.ill
лучатель в обратном направлении при
Постоянный обратный
заданном обратном напряжении
1 OK
Reverse continuous current
17. Постоянное прямое на-
Щ
Значение постоянного напряжения
пряжение полул роводннково-
иа полупроводниковом излучателе прн
го излучателя
заданном постоянном прямом токе
Постоянное прямое на-
пряжение
Continuous (direct) for-
ward voltage
IS. Импульсное пряное на-
Наибольшее мгновенное значение
пряжение полупроводниково-
прямого напряжения на полупроводни-
го излучатели
ковом излучателе при заданном импуль-
Импульсное прямое на-
сном прямом токе
пряжение
Maximum peak forward
voltage
19. Постоянное обратное
"oop
"я
Значение постоянного напряжения.
напряжение п оду проводи ико-
приложенного к полупроводниковому
во то излучателя
излучателю в образном направлении
Постоянное обратное
напряжение
Reverse continuous voltage
20. Импульсное обратное
^овр.и
—
Наибольшее мгновенное значение
напряжение полу проводнико-
обратного напряжения на полупровод-
вого излучателя
никовом излучателе
Импульсное обратное
напряжение
Peak reverse voltage
21.11априженнс пробоя по-
Ццияз
"<эвя>
Значение обратного напряжения.
лупроводникового излучателя
вызывающего пробой перехода, при
Напряжение пробоя
котором обратный ток через полупро-
Breakdown voltage
водниковый излучатель превышает за-
данное значение
22. Общая емкость полу-
с
0«
Значение емкости между выводами
проводникового излучателя
полупроводникового излучателя при за-
Общая емкость
данных напряжении смешения и часто-
Total capacitance
те
23. Емкость перехода полу-
Значение емкости между выводами
проводникового излучателя
полупроводникового излучателя без
Емкость перехода
емкости корпуса при заданных напря-
жении смешения и частоте
1 м,
ГОСТ 27299-87 С. 4
Продолжение таб.1. I
Термин
Буквенное
обошачение
On ределение
отчестве иное
межиунлрлшое
24. Динамическое сопро-
"лип
я.»
Значение сопротивления,
-=ОКОНЧАНИЕ ФРАГМЕНТА ДОКУМЕНТА=-
ГОСТ 27299-87
"Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров"
Статус документа: действующий
Дата вступления в действие: 1988-07-01
Документ относится к следующим разделам классификатора:
ВНИМАНИЕ!!
ФРАГМЕНТ ТЕКСТА ДОКУМЕНТА ПРЕДСТАВЛЕН ИСКЛЮЧИТЕЛЬНО ДЛЯ ОЗНАКОМЛЕНИЯ И СОДЕРЖИТ ОШИБКИ
ОРИГИНАЛ ДОКУМЕНТА СООТВЕТСТВУЕТ ОФИЦИАЛЬНОМУ ИЗДАНИЮ
Груши ЭОО
НастояшиЙ стандарт устанавливает ТЕРМины, определения и буквенные обозначения параметров полупроводниковых излучателей, оптопар. оптоэлектронных переключателей логических сигналов, оптоэлектронных коммутаторов аналогового сигнала и оптоэлектронных коммутаторов нагрузки.
Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия стандартизации или использующих результаты этой деятельности.
1. Стандартизованные ТЕРМины, буквенные обозначение и определения приведены в табл. I.
2. Для каждого понятия устаноатен один стандартизованный ТЕРМин. Применение ТЕРМинов-синонимов стандартизованного ТЕРМина не допускается. Недопустимые к применению ТЕРМины-синонимы приведены в табл. I в качестве справочных и обозначены пометой "Иди-.
2.1. Для отдельных стандартизованных ТЕРМинов в табл. 1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.
2.2. Приведенные определения можно при необходимости изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них ТЕРМинов, УКАЗывая объекты, входящие в объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.
2.3. В случаях, когда в ТЕРМине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приведено и в графе «Определение- поставлен прочерк.
2.4. В табл. I в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных ТЕРМинов на английском языке.
3. Алфавитные УКАЗатели содержащихся в стандарте ТЕРМинов на русском и английском языках приведены в табл. 2 и 3.
4. Стандартизованные ТЕРМины набраны полужирным шрифтом, их краткая ФОРМА — светлым, а недопустимые синонимы — курсивом.
Изланис официальное Перепечатка воспрещена
*
154
ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ OI1ТОЭЛ ЕКТРОНН ЫЕ
Термины, определения и буквенные обозначения параметров ГОСТ
Semiconductor optoelectronic devices. 27299 87
Terms, dctiDitioiis and teller symbols of parameters
MKC 01.040.31
31.080 ОКСТУ 6201
Дата введения 01.07.88
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
ГОСГ 27299-87 С. 2
Таблица I
Буквенное
обЧмничеи не
Термин
Ол рслслснис
огсчесгвенное
международное
1. ПоТОК НВЛуЧСНИЯ
Kail Mill flux
2. Мощность излучения полупроводникового и шуча-теля
Мощность излучения Radiant power
3. Сила излучения Radiant intensity
4. Энсргстнчсскан яркость Radiance
5. Диаграмма капрааленно-
'III 111. Ill С ПИЯ II l I. I > 11 pi Hi.) llll! -
кового излучателя
flitaiE'.iMMi направленно-ети излучения
Radiation diagram
6. Угол излечения шиуяро-видникового излучателя
Угол излучения Half-intensity beam
7. Длина волны максимума излучения иолупроводниково-го излучателя
Длина полны излучения Peak emission wavelength N. Ширина спектра излучения полунровилии кового излучателя
Ширина спектра Spectral radiation bandwidth
9. Длительноеib импульса и злуче ння полу п ро вод и ико во -п> излучателя
Длительность импульса излучения
10. Оптическая ось полу-и; mi и тикового излучателя
Оптипеская ось Optical axis
11. Геометрическая ось no-лупроводникового излучателя
Геометрическая ось Mechanical axis
12. Угол расхождения Squinting angle
13. Постоянный прямой in к полупроводникового излучат ел я
Постоянный прямой ток Continuous (direct) forward current
ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ
ф, ifl
р.
в
а
.V.
По ГОСТ 7601
Суммарный ноток излучения на выходе полупроводникового излучателя
По ГОСТ 7601 По ГОСТ 7601
Диаграмма, харАКТеризующая пространственное распределение излучения от полупроводникового излучателя относительно его оптической оси
Плоский угол, содержащий оптическую ось пол у провод ни кового излучателя и образованный направлениями, в которых сила излучения больше или равна половине ее максимального значения
Длина волны, соответствующая максимуму спектральной плотности потока излучения полупроводникового излучателя
Интервал длин волн, в котором спектральная плотность мощности излучения больше или равна половине се максимального значения
Инзсрвал времени, в течение которого сила ихтучения полупроводникового излучателя больше или равна половине се максимального значения
Линия, но отношению к которой ошентриравана анаграмма направленности полупроводникового излучателя
Воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя
Угол между оптической и геометрической осями полупроводникового излучателя
Значение постоянного тока, протекающего через полупроводниковый излучатель в прямом направлении
16-!'
153
С. 3 ГОСТ 27299-87
Прода/женае ma&i. I
Термин
(Ян) llU'trlllir
Ол рсагленис
огс'ксгпенног
международное
14. Импульсный примни
Aip.n
'гм
Наибольшее мгновенное значение
ток полуироводннкового ив-
прямого тока, протекающего через по-
лучатсля
лупроводниковый излучатель, прн за-
Импульсный прямой ток
данной скважности и длительности им-
Peak forward current
пульса
15. Средний прямой ток по-
'npsp
'ifAVl
Среднее за период значение прямо-
лу про води иково го излучатели
го тока, протекающего через полупро-
Средний прямой ток
водниковый излучатель
Average forward current
If-. Постоянный обратный
bp
'к
Значение постоянного тока, проте-
ток полупроводникового И1-
кающею через полупроводниковый из-
.!>'!.i i I.ill
лучатель в обратном направлении при
Постоянный обратный
заданном обратном напряжении
1 OK
Reverse continuous current
17. Постоянное прямое на-
Щ
Значение постоянного напряжения
пряжение полул роводннково-
иа полупроводниковом излучателе прн
го излучателя
заданном постоянном прямом токе
Постоянное прямое на-
пряжение
Continuous (direct) for-
ward voltage
IS. Импульсное пряное на-
Наибольшее мгновенное значение
пряжение полупроводниково-
прямого напряжения на полупроводни-
го излучатели
ковом излучателе при заданном импуль-
Импульсное прямое на-
сном прямом токе
пряжение
Maximum peak forward
voltage
19. Постоянное обратное
"oop
"я
Значение постоянного напряжения.
напряжение п оду проводи ико-
приложенного к полупроводниковому
во то излучателя
излучателю в образном направлении
Постоянное обратное
напряжение
Reverse continuous voltage
20. Импульсное обратное
^овр.и
—
Наибольшее мгновенное значение
напряжение полу проводнико-
обратного напряжения на полупровод-
вого излучателя
никовом излучателе
Импульсное обратное
напряжение
Peak reverse voltage
21.11априженнс пробоя по-
Ццияз
"<эвя>
Значение обратного напряжения.
лупроводникового излучателя
вызывающего пробой перехода, при
Напряжение пробоя
котором обратный ток через полупро-
Breakdown voltage
водниковый излучатель превышает за-
данное значение
22. Общая емкость полу-
с
0«
Значение емкости между выводами
проводникового излучателя
полупроводникового излучателя при за-
Общая емкость
данных напряжении смешения и часто-
Total capacitance
те
23. Емкость перехода полу-
Значение емкости между выводами
проводникового излучателя
полупроводникового излучателя без
Емкость перехода
емкости корпуса при заданных напря-
жении смешения и частоте
1 м,
ГОСТ 27299-87 С. 4
Продолжение таб.1. I
Термин
Буквенное
обошачение
On ределение
отчестве иное
межиунлрлшое
24. Динамическое сопро-
"лип
я.»
Значение сопротивления,
-=ОКОНЧАНИЕ ФРАГМЕНТА ДОКУМЕНТА=-
Документ ГОСТ 27299-87 можно получить тремя способами:
Приобрести полный комплект актуальных документов в виде электронного справочника на DVD. Мы предлагаем специализированные справочники для разных отраслей хозяйственной деятельности.
Так же, можно скачать ГОСТ 27299-87 или любой другой документ очень быстро и за смешные деньги, с оплатой любым способом (электронными деньгами, безналичным расчетом, отправкой SMS).
Если требуется официальное издание, то можно купить ГОСТ 27299-87 - печатную форму документа для технических библиотек и лицензирования деятельности предприятия.
